在物理学和电子学领域中，遏止电压是一个重要的概念。它通常用于描述光电效应中的现象。为了更好地理解遏止电压与哪些因素相关，我们需要从基础原理出发进行分析。

首先，遏止电压是指在光电效应实验中，当反向电场强度足够大时，能够完全阻止光电子到达阳极的最小电压值。这一现象表明了光电子具有一定的动能，而这种动能来源于入射光的能量。因此，遏止电压的大小直接取决于入射光的频率和材料的逸出功。

其次，根据爱因斯坦的光电效应方程 \(E_k = h\nu - \phi\)，其中 \(E_k\) 表示光电子的最大初动能，\(h\) 是普朗克常数，\(\nu\) 是入射光的频率，\(\phi\) 则是材料的逸出功。通过将光电子的最大初动能转化为电势差的形式，我们可以得到遏止电压 \(U_c\) 的表达式为 \(U_c = \frac{E_k}{e}\)，这里 \(e\) 代表电子电荷量。由此可见，遏止电压不仅依赖于入射光的频率，还受到材料特性的影响。

此外，在实际应用中，外界条件如温度、湿度等也可能对遏止电压产生间接影响。例如，高温可能会导致半导体器件内部载流子浓度发生变化，从而改变其导电性能，进而影响到遏止电压的具体数值。

综上所述，遏止电压主要与入射光的频率以及材料本身的性质密切相关。同时，在特定环境下还需考虑其他外部因素可能带来的干扰作用。对于研究者而言，深入探讨这些关系有助于提高光电转换效率并优化相关设备的设计方案。